تفصیل
زموږ شرکت د ګرافیت ، سیرامیکونو او نورو موادو په سطحه د CVD میتود لخوا د SiC کوټینګ پروسې خدمات چمتو کوي ، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل ښیې ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي ، د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه شوي مالیکولونه ، د SIC محافظتي پرت جوړول.
اصلي ځانګړتیاوې
1. د لوړې تودوخې اکسیډریشن مقاومت: د اکسیډریشن مقاومت لاهم خورا ښه دی کله چې د تودوخې درجه تر 1600 C پورې وي.
2. لوړ پاکوالی: د لوړې تودوخې کلورینیشن حالت کې د کیمیاوي بخارونو د زیرمو لخوا رامینځته شوی.
3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.
4. د ککړتیا مقاومت: تیزاب، الکولي، مالګه او عضوي ریجنټونه.
د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات
| د SiC-CVD ملکیتونه | ||
| کرسټال جوړښت | د FCC β مرحله | |
| کثافت | g/cm ³ | 3.21 |
| سختۍ | د ویکرز سختۍ | ۲۵۰۰ |
| د غلو اندازه | μm | 2~10 |
| کیمیاوي پاکوالی | % | 99.99995 |
| د تودوخې ظرفیت | J·kg-1 ·K-1 | ۶۴۰ |
| Sublimation د حرارت درجه | ℃ | 2700 |
| د فیلیکسور ځواک | MPa (RT 4 ټکی) | ۴۱۵ |
| د ځوان ماډل | Gpa (4pt bend، 1300℃) | ۴۳۰ |
| د تودوخې پراختیا (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| حرارتي چالکتیا | (W/mK) | ۳۰۰ |
