تفصیل
زموږ شرکت د ګرافیت ، سیرامیکونو او نورو موادو په سطحه د CVD میتود لخوا د SiC کوټینګ پروسې خدمات چمتو کوي ، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل ښیې ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي ، د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه شوي مالیکولونه ، د SIC محافظتي پرت جوړول.
اصلي ځانګړتیاوې
1. د لوړې تودوخې اکسیډریشن مقاومت:
د اکسیډریشن مقاومت لاهم خورا ښه دی کله چې د تودوخې درجه د 1600 C په اندازه لوړه وي.
2. لوړ پاکوالی: د لوړې تودوخې کلورینیشن حالت کې د کیمیاوي بخارونو د زیرمو لخوا رامینځته شوی.
3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.
4. د ککړتیا مقاومت: تیزاب، الکولي، مالګه او عضوي ریجنټونه.
د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات
د SiC-CVD ملکیتونه | ||
کرسټال جوړښت | د FCC β مرحله | |
کثافت | g/cm ³ | 3.21 |
سختۍ | د ویکرز سختۍ | ۲۵۰۰ |
د غلو اندازه | μm | 2~10 |
کیمیاوي پاکوالی | % | 99.99995 |
د تودوخې ظرفیت | J·kg-1 ·K-1 | ۶۴۰ |
Sublimation د حرارت درجه | ℃ | 2700 |
د فیلیکسور ځواک | MPa (RT 4 ټکی) | ۴۱۵ |
د ځوان ماډل | Gpa (4pt bend، 1300℃) | ۴۳۰ |
د تودوخې پراختیا (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
حرارتي چالکتیا | (W/mK) | ۳۰۰ |
![د نیم کار ځای](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-Work-place2.jpg)
![د نیم کار ځای 2](http://www.semi-cera.com/uploads/Semicera-work-place-22.jpg)
![د تجهیزاتو ماشین](http://www.semi-cera.com/uploads/Equipment-machine2.jpg)
![د CNN پروسس، کیمیاوي پاکول، د CVD کوټینګ](http://www.semi-cera.com/uploads/CNN-processing-chemical-cleaning-CVD-coating2.jpg)
![زموږ خدمت](http://www.semi-cera.com/uploads/Our-service3.jpg)