د سیمیکمډکټر په ساحه کې، د هرې برخې ثبات د ټولې پروسې لپاره خورا مهم دی.په هرصورت، د لوړ تودوخې چاپیریال کې، ګرافائٹ په اسانۍ سره اکسیډیز شوی او ورک شوی، او د SiC کوټینګ کولی شي د ګرافیت برخو لپاره مستحکم محافظت چمتو کړي.پهسیمیکراټیم، موږ خپل د ګرافیت پاکولو پروسس کولو تجهیزات لرو، کوم چې کولی شي د 5ppm لاندې د ګرافیت پاکوالی کنټرول کړي.د سیلیکون کاربایډ کوټینګ پاکوالی هم د 5ppm څخه ښکته دی.
✓ د چین په بازار کې لوړ کیفیت
✓ ښه خدمت تل ستاسو لپاره، 7*24 ساعته
✓ د سپارلو لنډه نیټه
✓ کوچنی MOQ ښه راغلاست او منل شوی
✓ دودیز خدمتونه
د Epitaxy د ودې شکمن
سیلیکون / سیلیکون کاربایډ ویفرونه باید په بریښنایی وسیلو کې د کارولو لپاره ډیری پروسو ته لاړ شي.یوه مهمه پروسه سیلیکون/sic epitaxy ده، په کوم کې چې سیلیکون/sic ویفرونه د ګرافیت په اساس کې لیږدول کیږي.د سیمیسیرا د سیلیکون کاربایډ لیپت شوي ګرافائٹ بیس ځانګړي ګټې پکې خورا لوړ پاکوالی ، یونیفورم کوټینګ ، او خورا اوږد خدمت ژوند شامل دي.دوی لوړ کیمیاوي مقاومت او حرارتي ثبات هم لري.
د LED چپ تولید
د MOCVD ریکټور د پراخه پوښ کولو په جریان کې، د سیارې اساس یا کیریر د سبسټریټ ویفر حرکت کوي.د اساس موادو فعالیت د کوټینګ کیفیت باندې خورا لوی تاثیر لري ، کوم چې په پایله کې د چپ سکریپ نرخ اغیزه کوي.د سیمیسیرا سیلیکون کاربایډ لیپت بیس د لوړ کیفیت LED ویفرونو تولید موثریت ډیروي او د طول موج انحراف کموي.موږ د ټولو MOCVD ریکټورونو لپاره چې اوس مهال کارول کیږي اضافي ګرافیت اجزا هم چمتو کوو.موږ کولی شو نږدې هره برخه د سیلیکون کاربایډ کوټ سره کوټ کړو، حتی که د برخې قطر تر 1.5M پورې وي، موږ بیا هم د سیلیکون کاربایډ سره کوټ کولی شو.
د سیمیکمډکټر ساحه، د اکسیډیشن خپریدو پروسه، او داسې نور.
د سیمیکمډکټر پروسې کې ، د اکسیډیشن توسعې پروسې لوړ محصول پاکوالي ته اړتیا لري ، او په سیمیسرا کې موږ د سیلیکون کاربایډ ډیری برخو لپاره دودیز او CVD کوټینګ خدمات وړاندیز کوو.
لاندې انځور د سیمیسیا خام پروسس شوی سیلیکون کاربایډ سلیري او د سیلیکون کاربایډ فرنس ټیوب ښیې چې په 100 کې پاک شوی0- کچهله دوړو څخه پاککوټهزموږ کارګران د کوټ کولو دمخه کار کوي.زموږ د سیلیکون کاربایډ پاکوالی کولی شي 99.98٪ ته ورسیږي، او د sic کوټینګ پاکوالی له 99.9995٪ څخه ډیر دی.