د سیلیکون کاربایډ ویفر تولید پروسه

د سیلیکون کاربایډ ویفرد لوړ پاک سیلیکون پوډر او د لوړ پاک کاربن پوډر څخه د خامو موادو په توګه جوړ شوی، او د سیلیکون کاربایډ کرسټال د فزیکي بخار لیږد میتود (PVT) لخوا کرل کیږي، او پروسس کیږي.سیلیکون کاربایډ ویفر.

① د خامو موادو ترکیب. د لوړ پاکوالي سیلیکون پاؤډر او د لوړ پاکوالي کاربن پوډر د یو ټاکلي تناسب سره سم مخلوط شوي، او د سیلیکون کاربایډ ذرات د 2,000 ℃ څخه پورته په لوړه تودوخه کې ترکیب شوي. د کرش کولو ، پاکولو او نورو پروسو وروسته ، د لوړ پاک سیلیکون کاربایډ پاؤډر خام مواد چې د کرسټال ودې اړتیاوې پوره کوي چمتو شوي.

② کرسټال وده. د لوړ پاکوالي SIC پوډر د خامو موادو په توګه کارول، کرسټال د فزیکي بخار لیږد (PVT) میتود لخوا د ځان پرمختللي کرسټال ودې فرنس په کارولو سره کرل شوی.

③ ingot پروسس. ترلاسه شوی سیلیکون کاربایډ کرسټال انګوټ د ایکس رے واحد کرسټال اورینټټر لخوا متمرکز شوی و، بیا په ځمکه او رول شوی، او د معیاري قطر سیلیکون کاربایډ کرسټال پروسس شوی.

④ کرسټال پرې کول. د څو لاین قطع کولو تجهیزاتو په کارولو سره ، د سیلیکون کاربایډ کرسټالونه په پتلي شیټونو کې پرې شوي چې ضخامت یې له 1mm څخه ډیر نه وي.

⑤ د چپس پیس کول. ویفر د مختلف ذراتو اندازې د الماس پیسولو مایعاتو لخوا مطلوب فلیټ او سختوالي ته مینځل کیږي.

⑥ چپ پالش کول. د سطحي زیان پرته پالش شوي سیلیکون کاربایډ د میخانیکي پالش کولو او کیمیاوي میخانیکي پالش کولو لخوا ترلاسه شوي.

⑦ چپ کشف. د مایکروټیوبیل کثافت معلومولو لپاره آپټیکل مایکروسکوپ ، د ایکس رې ډیفراکټومیټر ، اتومي ځواک مایکروسکوپ ، د غیر تماس مقاومت ټیسټر ، د سطح فلیټ ټیسټر ، د سطحې عیب جامع ټیسټر او نور وسایل او تجهیزات وکاروئ ترڅو د مایکروټیوبیل کثافت ، کرسټال کیفیت ، د سطحې خرابوالی ، مقاومت ، جنګی پاڼه ، منحل ، د ضخامت بدلون، د سطحې سکریچ او د سیلیکون کاربایډ نور پیرامیټونه ویفر د دې له مخې، د چپ کیفیت کچه ​​ټاکل کیږي.

⑧ چپ پاکول. د سیلیکون کاربایډ پالش کولو شیټ د پاکولو اجنټ او پاکو اوبو سره پاکیږي ترڅو د پالش کولو شیټ کې پاتې پاتې پولش مایع او نور سطحي کثافات لرې کړي ، او بیا ویفر د خورا لوړ پاکوالي نایټروجن او وچولو ماشین لخوا وچ شوی او وچیږي؛ ویفر په یوه پاکه شیټ بکس کې په سوپر کلین چیمبر کې پوښل شوی ترڅو د لاندې سیلیکون کاربایډ ویفر جوړ کړي.

هرڅومره چې د چپ اندازه لوی وي ، د ورته کرسټال وده او پروسس کولو ټیکنالوژي خورا ستونزمن وي ، او د لاندې وسیلو تولید موثریت لوړ وي ، د واحد لګښت ټیټ وي.