د CVD سیلیکون کاربایډ (SiC) Etching Ring یوه ځانګړې برخه ده چې د سیلیکون کاربایډ (SiC) څخه جوړه شوې د کیمیاوي بخار ډیپوزیشن (CVD) میتود په کارولو سره. د CVD سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچنګ حلقه په مختلف صنعتي غوښتنلیکونو کې کلیدي رول لوبوي ، په ځانګړي توګه په پروسو کې چې د موادو اینچنګ پکې شامل وي. سیلیکون کاربایډ یو ځانګړی او پرمختللی سیرامیک مواد دی چې د دې غوره ملکیتونو لپاره پیژندل کیږي ، پشمول د لوړې سختۍ ، غوره حرارتي چالکتیا او د سخت کیمیاوي چاپیریال پروړاندې مقاومت.
د کیمیاوي بخار د زیرمه کولو پروسه په کنټرول شوي چاپیریال کې په سبسټریټ کې د SiC پتلی طبقه زیرمه کول شامل دي چې په پایله کې د لوړ پاکوالي او دقیق انجینر شوي موادو رامینځته کیږي. CVD سیلیکون کاربایډ د خپل یونیفورم او کثافاتو مایکرو جوړښت ، غوره میخانیکي ځواک او پرمختللي حرارتي ثبات لپاره پیژندل شوی.
د CVD سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچنګ حلقه د CVD سیلیکون کاربایډ څخه جوړه شوې ده ، کوم چې نه یوازې غوره پایښت تضمینوي ، بلکه د کیمیاوي ککړتیا او د تودوخې خورا سخت بدلونونو سره مقاومت کوي. دا د غوښتنلیکونو لپاره مثالی کوي چیرې چې دقت ، اعتبار او ژوند مهم وي.
✓ د چین په بازار کې لوړ کیفیت
✓ ښه خدمت تل ستاسو لپاره، 7*24 ساعته
✓ د سپارلو لنډه نیټه
✓ کوچنی MOQ ښه راغلاست او منل شوی
✓ دودیز خدمتونه
د Epitaxy د ودې شکمن
سیلیکون / سیلیکون کاربایډ ویفرونه باید په بریښنایی وسیلو کې د کارولو لپاره ډیری پروسو ته لاړ شي. یوه مهمه پروسه سیلیکون/sic epitaxy ده، په کوم کې چې سیلیکون/sic ویفرونه د ګرافیت په اساس کې لیږدول کیږي. د سیمیسیرا د سیلیکون کاربایډ لیپت شوي ګرافائٹ بیس ځانګړي ګټې په خورا لوړ پاکوالي ، یونیفورم کوټینګ ، او خورا اوږد خدمت ژوند شامل دي. دوی لوړ کیمیاوي مقاومت او حرارتي ثبات هم لري.
د LED چپ تولید
د MOCVD ریکټور د پراخه پوښ کولو په جریان کې، د سیارې اساس یا کیریر د سبسټریټ ویفر حرکت کوي. د اساس موادو فعالیت د کوټینګ کیفیت باندې خورا لوی تاثیر لري ، کوم چې په پایله کې د چپ سکریپ نرخ اغیزه کوي. د سیمیسیرا سیلیکون کاربایډ لیپت بیس د لوړ کیفیت LED ویفرونو تولید موثریت ډیروي او د طول موج انحراف کموي. موږ د ټولو MOCVD ریکټورونو لپاره چې اوس مهال کارول کیږي اضافي ګرافیت اجزا هم چمتو کوو. موږ کولی شو نږدې هره برخه د سیلیکون کاربایډ کوټ سره کوټ کړو، حتی که د برخې قطر تر 1.5M پورې وي، موږ بیا هم د سیلیکون کاربایډ سره کوټ کولی شو.
د سیمیکمډکټر ساحه، د اکسیډیشن خپریدو پروسه، او داسې نور.
د سیمیکمډکټر پروسې کې ، د اکسیډیشن توسعې پروسې لوړ محصول پاکوالي ته اړتیا لري ، او په سیمیسرا کې موږ د سیلیکون کاربایډ ډیری برخو لپاره دودیز او CVD کوټینګ خدمات وړاندیز کوو.
لاندې انځور د سیمیسیا خام پروسس شوی سیلیکون کاربایډ سلیري او د سیلیکون کاربایډ فرنس ټیوب ښیې چې په 100 کې پاک شوی0- کچهله دوړو څخه پاککوټه زموږ کارګران د کوټ کولو دمخه کار کوي. زموږ د سیلیکون کاربایډ پاکوالی کولی شي 99.99٪ ته ورسیږي، او د sic کوټینګ پاکوالی د 99.99995٪ څخه ډیر دی
خام سیلیکون کاربایډ پیډل او د سی سی پروسس ټیوب په پاکولو کې
د سیلیکون کاربایډ ویفر بوټ CVD SiC لیپت شوی
