د چین ویفر جوړونکي، عرضه کوونکي، فابریکه

په ویفر کې مختلف توکي

د سیمیکمډکټر ویفرونه اساسا د واحد کرسټال سیلیکون څخه د دې د کثرت ، غوره بریښنایی ملکیتونو ، او د معیاري سیمیکمډکټر تولید پروسې سره مطابقت له امله جوړ شوي. په هرصورت، د ځانګړو غوښتنلیکونو او اړتیاو پورې اړه لري، نور توکي هم د ویفر جوړولو لپاره کارول کیدی شي. دلته ځینې مثالونه دي:

سیلیکون کاربایډ (SiC) یو پراخه بانډګاپ سیمیکمډکټر مواد دی چې د دودیزو توکو په پرتله غوره فزیکي ملکیتونه وړاندې کوي. دا د مجرد وسیلو ، ماډلونو او حتی ټول سیسټمونو اندازې او وزن کمولو کې مرسته کوي ، پداسې حال کې چې موثریت ښه کوي.

د SiC کلیدي ځانګړتیاوې:

1. - پراخ بندګاپ:د SiC bandgap د سیلیکون په پرتله درې چنده دی، دا اجازه ورکوي چې په لوړه تودوخه کې کار وکړي، تر 400 درجو پورې.
2. - د خرابیدو لوړ مهم ډګر:SiC کولی شي د سیلیکون بریښنایی ساحې لس ځله مقاومت وکړي ، دا د لوړ ولټاژ وسیلو لپاره مثالی کوي.
3. - لوړ حرارتي چلښت:SiC په مؤثره توګه تودوخه خپروي، د وسایلو سره مرسته کوي چې د غوره عملیاتي تودوخې ساتنه وکړي او د دوی عمر اوږد کړي.
4. - د لوړ سنتریشن الکترون ډرایف سرعت:د سیلیکون دوه چنده ګړندۍ سرعت سره ، SiC د لوړې سویچ فریکونسۍ وړوي ، د وسیلې کوچني کولو کې مرسته کوي.

غوښتنلیکونه:

• - بریښنایی بریښناد SiC بریښنا وسیلې په لوړ ولټاژ ، لوړ اوسني ، لوړ تودوخې او لوړې فریکونسۍ چاپیریال کې غوره دي ، د پام وړ د انرژي تبادلې موثریت لوړوي. دوی په پراخه کچه په بریښنایی موټرو ، چارج سټیشنونو ، فوتوولټیک سیسټمونو ، د ریل ټرانسپورټ ، او سمارټ گرډونو کې کارول کیږي.

• - د مایکروویو مخابرات:د SiC میشته GaN RF وسایل د بې سیمه مخابراتو زیربنا لپاره خورا مهم دي ، په ځانګړي توګه د 5G بیس سټیشنونو لپاره. دا وسایل د GaN د لوړې فریکونسۍ، لوړ ځواک RF محصول سره د SiC عالي حرارتي چالکتیا سره یوځای کوي، دوی د راتلونکي نسل لوړ فریکونسۍ مخابراتي شبکو لپاره غوره انتخاب جوړوي.

ګیلیم نایټرایډ (GaN)د دریم نسل پراخه بینډګاپ سیمیکمډکټر مواد دی چې د لوی بندګاپ ، لوړ حرارتي چالکتیا ، د لوړ الیکټران سنتریشن ډریفټ سرعت ، او غوره ماتولو ساحې ځانګړتیاوې لري. د GaN وسیلې د لوړې فریکونسۍ ، لوړ سرعت ، او لوړ بریښنا ساحو کې د غوښتنلیک پراخه امکانات لري لکه د LED انرژي سپمولو څراغونه ، د لیزر پروجیکشن ډیزاینونه ، بریښنایی وسایط ، سمارټ گرډونه ، او 5G مخابرات.

ګیلیم ارسنایډ (GaAs)د سیمیکمډکټر مواد دی چې د لوړې فریکونسۍ ، لوړ بریښنایی خوځښت ، لوړ بریښنا تولید ، ټیټ شور او ښه خطي لپاره پیژندل شوی. دا په پراخه کچه د آپټو الیکترونیک او مایکرو الیکترونیک صنعتونو کې کارول کیږي. په optoelectronics کې، د GaAs سبسټریټونه د LED (رڼا جذبونکي ډایډونو)، LD (لیزر ډایډونو)، او فوتوولټیک وسایلو جوړولو لپاره کارول کیږي. په مایکرو الیکترونیکونو کې ، دوی د MESFETs (فلزي - سیمیکمډکټر فیلډ-اثر ټرانزیسټرونو) ، HEMTs (د لوړ بریښنایی خوځښت ټرانزیسټرونو) ، HBTs (هیټروجنکشن بایپولر ټرانزیسټرونو) ، ICs (متحرک سرکیټونو) ، مایکروویو ډایډونو ، او د هال اغیزې وسیلو په تولید کې ګمارل شوي.

انډیم فاسفایډ (InP)یو له مهمو III-V مرکب سیمیکمډکټرونو څخه دی، چې د خپل لوړ الکترون خوځښت، غوره وړانګو مقاومت، او پراخ بندګاپ لپاره پیژندل شوی. دا په پراخه کچه د آپټو الیکترونیک او مایکرو الیکترونیک صنعتونو کې کارول کیږي.