د سیمیسیرا لخوا وړاندیز شوي سولیډ سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچنګ حلقې د کیمیاوي بخار ډیپوزیشن (CVD) میتود لخوا تولید شوي او د دقیق اینچنګ پروسې غوښتنلیکونو په ساحه کې عالي پایله ده. دا سالیډ سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچنګ حلقې د دوی عالي سختۍ ، تودوخې ثبات او د زنګون مقاومت لپاره پیژندل شوي ، او د موادو غوره کیفیت د CVD ترکیب لخوا تضمین شوی.
په ځانګړي ډول د اینچنګ پروسو لپاره ډیزاین شوی ، د سولیډ سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچینګ رینګونو سخت جوړښت او ځانګړي مادي ملکیتونه د دقت او اعتبار په ترلاسه کولو کې کلیدي رول لوبوي. د دودیزو توکو برخلاف ، د سی سی جامد اجزا بې ساري پایښت او د پوښ مقاومت لري ، دا په صنعتونو کې یوه لازمي برخه جوړوي چې دقیق او اوږد ژوند ته اړتیا لري.
زموږ د سولیډ سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچنګ حلقې دقیق تولید شوي او کیفیت کنټرول شوي ترڅو د دوی غوره فعالیت او اعتبار ډاډمن کړي. که چیرې د سیمیکمډکټر تولید یا نورو اړوند برخو کې وي ، دا سالډ سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچنګ حلقې کولی شي د ایچنګ ثابت فعالیت او غوره اینچنګ پایلې چمتو کړي.
که تاسو زموږ د سولیډ سیلیکون کاربایډ (SiC) ایچینګ حلقې سره علاقه لرئ ، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ. زموږ ټیم به تاسو ته د محصول تفصيلي معلومات او مسلکي تخنیکي ملاتړ چمتو کړي ترڅو ستاسو اړتیاوې پوره کړي. موږ ستاسو سره د اوږدې مودې ملګرتیا رامینځته کولو او په ګډه د صنعت پرمختګ ته وده ورکولو ته سترګې په لار یو.
✓ د چین په بازار کې لوړ کیفیت
✓ ښه خدمت تل ستاسو لپاره، 7*24 ساعته
✓ د سپارلو لنډه نیټه
✓ کوچنی MOQ ښه راغلاست او منل شوی
✓ دودیز خدمتونه
د Epitaxy د ودې شکمن
سیلیکون / سیلیکون کاربایډ ویفرونه باید په بریښنایی وسیلو کې د کارولو لپاره ډیری پروسو ته لاړ شي. یوه مهمه پروسه سیلیکون/sic epitaxy ده، په کوم کې چې سیلیکون/sic ویفرونه د ګرافیت په اساس کې لیږدول کیږي. د سیمیسیرا د سیلیکون کاربایډ لیپت شوي ګرافائٹ بیس ځانګړي ګټې په خورا لوړ پاکوالي ، یونیفورم کوټینګ ، او خورا اوږد خدمت ژوند شامل دي. دوی لوړ کیمیاوي مقاومت او حرارتي ثبات هم لري.
د LED چپ تولید
د MOCVD ریکټور د پراخه پوښ کولو په جریان کې، د سیارې اساس یا کیریر د سبسټریټ ویفر حرکت کوي. د اساس موادو فعالیت د کوټینګ کیفیت باندې خورا لوی تاثیر لري ، کوم چې په پایله کې د چپ سکریپ نرخ اغیزه کوي. د سیمیسیرا سیلیکون کاربایډ لیپت بیس د لوړ کیفیت LED ویفرونو تولید موثریت ډیروي او د طول موج انحراف کموي. موږ د ټولو MOCVD ریکټورونو لپاره چې اوس مهال کارول کیږي اضافي ګرافیت اجزا هم چمتو کوو. موږ کولی شو نږدې هره برخه د سیلیکون کاربایډ کوټ سره کوټ کړو، حتی که د برخې قطر تر 1.5M پورې وي، موږ بیا هم د سیلیکون کاربایډ سره کوټ کولی شو.
د سیمیکمډکټر ساحه، د اکسیډیشن خپریدو پروسه، او داسې نور.
د سیمیکمډکټر پروسې کې ، د اکسیډیشن توسعې پروسې لوړ محصول پاکوالي ته اړتیا لري ، او په سیمیسرا کې موږ د سیلیکون کاربایډ ډیری برخو لپاره دودیز او CVD کوټینګ خدمات وړاندیز کوو.
لاندې انځور د سیمیسیا خام پروسس شوی سیلیکون کاربایډ سلیري او د سیلیکون کاربایډ فرنس ټیوب ښیې چې په 100 کې پاک شوی0- کچهله دوړو څخه پاککوټه زموږ کارګران د کوټ کولو دمخه کار کوي. زموږ د سیلیکون کاربایډ پاکوالی کولی شي 99.99٪ ته ورسیږي، او د sic کوټینګ پاکوالی د 99.99995٪ څخه ډیر دی.
خام سیلیکون کاربایډ پیډل او د سی سی پروسس ټیوب په پاکولو کې
د سیلیکون کاربایډ ویفر بوټ CVD SiC لیپت شوی
