د ګرافیت بیس لپاره د SiC لیپت پروسه SiC Coated Graphite Carriers

لنډ تفصیل:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. د پرمختللي سیمیکنډکټر سیرامیک مخکښ عرضه کونکی دی. زموږ اصلي محصولات عبارت دي له: سیلیکون کاربایډ ایچډ ډیسکونه ، د سیلیکون کاربایډ کښتۍ ټریلرونه ، د سیلیکون کاربایډ ویفر کښتۍ (PV او سیمی کنډکټر) ، د سیلیکون کاربایډ فرنس ټیوبونه ، سیلیکون کاربایډ کینټیلیور پیډلونه ، سیلیکون کاربایډ چک ، سیلیکون کاربایډ چک ، سیلیکون کاربایډ کوټینګ او د سی وی سی وی سیم په توګه د TaC پوښونه.
محصولات په عمده توګه د سیمیکمډکټر او فوتوولټیک صنعتونو کې کارول کیږي ، لکه کرسټال وده ، ایپیټیکسي ، ایچنګ ، بسته کول ، کوټینګ او د توزیع فرنس تجهیزات.

 

د محصول تفصیل

د محصول ټګ

تفصیل

موږ د پلي کولو پرمهال خورا نږدې زغم ساتود SiC پوښد یونیفورم سوسیپټر پروفایل ډاډ ترلاسه کولو لپاره د لوړ دقیق ماشین کارول. موږ د مثالي بریښنایی مقاومت ملکیتونو سره مواد هم تولید کوو چې په زړه پورې تودوخې سیسټمونو کې کارولو لپاره. ټول بشپړ شوي اجزا د پاکوالي او ابعادي اطاعت سند سره راځي.

زموږ شرکت چمتو کويد SiC پوښد ګرافیت، سیرامیک او نورو موادو په سطحه د CVD طریقې سره د خدماتو پروسس کول، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل وکړي ترڅو د لوړ پاکوالي SiC مالیکولونه ترلاسه کړي، مالیکولونه چې د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه شوي، د SIC محافظتي طبقه جوړوي. جوړ شوی SIC د ګرافائٹ بیس سره په کلکه تړل شوی، د ګرافیت بیس ته ځانګړي ځانګړتیاوې ورکوي، په دې توګه د ګرافیت کمپیکٹ سطحه، د پورسیت څخه پاک، د لوړ حرارت مقاومت، د اوریدو مقاومت او د اکسیډریشن مقاومت.

gf (1)

د CVD پروسه خورا لوړ پاکوالي او نظري کثافت وړاندې کويد SiC پوښپرته له سوري. نور څه دي، لکه څنګه چې سیلیکون کاربایډ خورا سخت دی، دا د عکس په څیر سطح ته پالش کیدی شي.د CVD سیلیکون کاربایډ (SiC) پوښډیری ګټې وړاندې کړې پشمول د خورا لوړ پاکوالي سطح او خورا اغوستل دوام. لکه څنګه چې لیپت شوي محصولات د لوړ خلا او د تودوخې لوړې شرایطو کې عالي فعالیت لري ، دوی د سیمی کنډکټر صنعت او نورو الټرا پاک چاپیریال کې غوښتنلیکونو لپاره غوره دي. موږ د pyrolytic ګرافیت (PG) محصولات هم چمتو کوو.

 

اصلي ځانګړتیاوې

1. د لوړ حرارت اکسیډریشن مقاومت:
د اکسیډریشن مقاومت لاهم خورا ښه دی کله چې د تودوخې درجه د 1600 C په اندازه لوړه وي.
2. لوړ پاکوالی: د لوړې تودوخې کلورینیشن حالت کې د کیمیاوي بخارونو د زیرمو لخوا رامینځته شوی.
3. د تخریب مقاومت: لوړ سختی، کمپیکٹ سطح، ښه ذرات.
4. د ککړتیا مقاومت: تیزاب، الکولي، مالګه او عضوي ریجنټونه.

مین-05

مین-04

مین-03

د CVD-SIC کوټینګ اصلي مشخصات

SiC-CVD
کثافت (g/cc) 3.21
انعطاف ځواک (Mpa) ۴۷۰
د تودوخې پراخول (10-6/K) 4
حرارتي چالکتیا (W/mK) ۳۰۰

غوښتنلیک

د CVD سیلیکون کاربایډ کوټینګ دمخه د سیمیکمډکټر صنعتونو کې پلي شوی ، لکه MOCVD ټری ، RTP او آکسایډ اینچنګ چیمبر ځکه چې سیلیکون نایټریډ عالي حرارتي شاک مقاومت لري او کولی شي د لوړې انرژي پلازما سره مقاومت وکړي.
- سیلیکون کاربایډ په پراخه کچه په سیمیکمډکټر او کوټینګ کې کارول کیږي.

غوښتنلیک

د رسولو وړتیا:
په میاشت کې 10000 ټوټه / ټوټې
بسته بندي او تحویلي:
بسته بندي: معیاري او قوي بسته بندي
پولی کڅوړه + بکس + کارتن + تخته
بندر:
نینګبو/شینزین/شانګهای
مخکښ وخت:

مقدار (ټوکې) ۱ – ۱۰۰۰ >1000
Est. وخت (ورځې) 30 خبرې اترې وشي
د نیم کار ځای
د نیم کار ځای 2
د تجهیزاتو ماشین
د CNN پروسس، کیمیاوي پاکول، د CVD کوټینګ
زموږ خدمت

  • مخکینی:
  • بل: