سیمیسیرا پخپله وده کړېد SiC سیرامیک مهر برخهد عصري سیمیکمډکټر تولید لوړ معیارونو پوره کولو لپاره ډیزاین شوی. دا مهر کولو برخه د لوړ فعالیت کارويسیلیکون کاربایډ (SiC)مواد د غوره پوښاک مقاومت او کیمیاوي ثبات سره ترڅو په سخت چاپیریال کې د سیل کولو عالي فعالیت یقیني کړي. سره په ګډهالمونیم اکساید (Al2O3)اوسیلیکون نایټرایډ (Si3N4)، دا برخه د لوړې تودوخې غوښتنلیکونو کې ښه فعالیت کوي او کولی شي په مؤثره توګه د ګاز او مایع لیک مخه ونیسي.
کله چې د تجهیزاتو سره په ګډه کارول کیږي لکهویفر کښتۍاو ویفر کیریر، سیمیسیراد SiC سیرامیک مهر برخهکولی شي د پام وړ د ټولیز سیسټم موثریت او اعتبار ته وده ورکړي. د دې غوره تودوخې مقاومت او د سنکنرن مقاومت دا د لوړ دقیق سیمیکمډکټر تولید کې لازمي برخه جوړوي ، د تولید پروسې په جریان کې ثبات او خوندیتوب تضمینوي.
سربیره پردې ، د دې سیل کولو برخې ډیزاین په دقت سره غوره شوی ترڅو د مختلف تجهیزاتو سره مطابقت ډاډمن کړي ، د مختلف تولید لینونو کې کارول اسانه کوي. د سیمیسیرا د R&D ټیم د ټیکنالوژیکي نوښت هڅولو لپاره سخت کار ته دوام ورکوي ترڅو په صنعت کې د خپلو محصولاتو سیالي ډاډمن کړي.
د سیمیسرا غوره کولد SiC سیرامیک مهر برخه، تاسو به د لوړ فعالیت او اعتبار ترکیب ترلاسه کړئ ، تاسو سره به د لا اغیزمن تولید پروسې او غوره محصول کیفیت ترلاسه کولو کې مرسته وکړي. Semicera تل ژمن دی چې پیرودونکو ته د غوره سیمیکمډکټر حلونو او خدماتو چمتو کولو لپاره د صنعت دوامداره پرمختګ او پرمختګ ته وده ورکړي.
✓ د چین په بازار کې لوړ کیفیت
✓ ښه خدمت تل ستاسو لپاره، 7*24 ساعته
✓ د سپارلو لنډه نیټه
✓ کوچنی MOQ ښه راغلاست او منل شوی
✓ دودیز خدمتونه
د Epitaxy د ودې شکمن
سیلیکون / سیلیکون کاربایډ ویفرونه باید په بریښنایی وسیلو کې د کارولو لپاره ډیری پروسو ته لاړ شي. یوه مهمه پروسه سیلیکون/sic epitaxy ده، په کوم کې چې سیلیکون/sic ویفرونه د ګرافیت په اساس کې لیږدول کیږي. د سیمیسیرا د سیلیکون کاربایډ لیپت شوي ګرافائٹ بیس ځانګړي ګټې په خورا لوړ پاکوالي ، یونیفورم کوټینګ ، او خورا اوږد خدمت ژوند شامل دي. دوی لوړ کیمیاوي مقاومت او حرارتي ثبات هم لري.
د LED چپ تولید
د MOCVD ریکټور د پراخه پوښ کولو په جریان کې، د سیارې اساس یا کیریر د سبسټریټ ویفر حرکت کوي. د اساس موادو فعالیت د کوټینګ کیفیت باندې خورا لوی تاثیر لري ، کوم چې په پایله کې د چپ سکریپ نرخ اغیزه کوي. د سیمیسیرا سیلیکون کاربایډ لیپت بیس د لوړ کیفیت LED ویفرونو تولید موثریت ډیروي او د طول موج انحراف کموي. موږ د ټولو MOCVD ریکټورونو لپاره چې اوس مهال کارول کیږي اضافي ګرافیت اجزا هم چمتو کوو. موږ کولی شو نږدې هره برخه د سیلیکون کاربایډ کوټ سره کوټ کړو، حتی که د برخې قطر تر 1.5M پورې وي، موږ بیا هم د سیلیکون کاربایډ سره کوټ کولی شو.
د سیمیکمډکټر ساحه، د اکسیډیشن خپریدو پروسه، او داسې نور.
د سیمیکمډکټر پروسې کې ، د اکسیډیشن توسعې پروسې لوړ محصول پاکوالي ته اړتیا لري ، او په سیمیسرا کې موږ د سیلیکون کاربایډ ډیری برخو لپاره دودیز او CVD کوټینګ خدمات وړاندیز کوو.
لاندې انځور د سیمیسیا خام پروسس شوی سیلیکون کاربایډ سلیري او د سیلیکون کاربایډ فرنس ټیوب ښیې چې په 100 کې پاک شوی0- کچهله دوړو څخه پاککوټه زموږ کارګران د کوټ کولو دمخه کار کوي. زموږ د سیلیکون کاربایډ پاکوالی کولی شي 99.99٪ ته ورسیږي، او د sic کوټینګ پاکوالی د 99.99995٪ څخه ډیر دی.
خام سیلیکون کاربایډ پیډل او د سی سی پروسس ټیوب په پاکولو کې
د سیلیکون کاربایډ ویفر بوټ CVD SiC لیپت شوی
