CVD بلک سیلیکون کاربایډ (SiC)
کتنه:CVDبلک سیلیکون کاربایډ (SiC)د پلازما اینچنګ تجهیزاتو، چټک حرارتي پروسس کولو (RTP) غوښتنلیکونو، او نورو سیمیکمډکټر تولید پروسو کې خورا مطلوب مواد دي. د دې استثنایی میخانیکي ، کیمیاوي او حرارتي ملکیتونه دا د پرمختللي ټیکنالوژۍ غوښتنلیکونو لپاره یو مثالی مواد جوړوي چې د لوړ دقیقیت او دوام غوښتنه کوي.
د CVD بلک SiC غوښتنلیکونه:بلک SiC د سیمیکمډکټر صنعت کې خورا مهم دی ، په ځانګړي توګه د پلازما اینچینګ سیسټمونو کې ، چیرې چې اجزاو لکه فوکس حلقې ، د ګاز شاور هیډونه ، د څنډې حلقې ، او پلاټینونه د SiC د غوره سنکنډ مقاومت او حرارتي چالکتیا څخه ګټه پورته کوي. د هغې کارول پراخیږيRTPسیسټمونه د SiC وړتیا له امله چې د پام وړ تخریب پرته د تودوخې چټک بدلونونو سره مقاومت وکړي.
د نقاشۍ تجهیزاتو سربیره ، CVDلویه برخه SiCد ډیفیوژن فرنسونو او کرسټال ودې پروسو کې غوره کیږي ، چیرې چې د کیمیاوي چاپیریال لوړ حرارتي ثبات او مقاومت ته اړتیا لیدل کیږي. دا ځانګړتیاوې SiC د لوړې غوښتنې غوښتنلیکونو لپاره د انتخاب موادو رامینځته کوي چې د تودوخې لوړه تودوخې او ککړونکي ګازونه پکې شامل دي ، لکه کلورین او فلورین لري.
د CVD بلک SiC اجزاو ګټې:
•لوړ کثافت:د 3.2 g/cm³ کثافت سره،د CVD لویه برخه SiCاجزا د اغوستلو او میخانیکي اغیزو لپاره خورا مقاومت لري.
•غوره حرارتي چلښت:د 300 W/m·K حرارتي چالکتیا وړاندې کوي، بلک SiC په اغیزمنه توګه تودوخه اداره کوي، دا د هغو اجزاوو لپاره مثالی کوي چې د سخت حرارتي دورې سره مخ کیږي.
•غیر معمولي کیمیاوي مقاومت:د ایسینګ ګازونو سره د SiC ټیټ عکس العمل ، په شمول د کلورین او فلورین پراساس کیمیاوي توکي ، د اجزاو اوږد ژوند تضمینوي.
•د تنظیم وړ مقاومت: د CVD لویه برخه SiCsمقاومت کولی شي د 10⁻²–10⁴ Ω-cm په حد کې تنظیم شي، دا د ځانګړو ایچنګ او سیمیکمډکټر تولید اړتیاو سره د تطبیق وړ کوي.
•د تودوخې توسعې کثافات:د 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000 °C) د حرارتي توسعې کثافاتو سره، د CVD بلک SiC د تودوخې شاک مقاومت کوي، حتی د ګړندي تودوخې او یخ کولو دورې په جریان کې ابعادي ثبات ساتي.
•په پلازما کې پایښت:د پلازما او عکس العمل ګازونو سره مخ کیدل د سیمیکمډکټر پروسو کې ناگزیر دي، مګرد CVD لویه برخه SiCد زنګ او تخریب لپاره غوره مقاومت وړاندې کوي، د بدیل فریکونسۍ کمول او د ساتنې ټول لګښتونه.
تخنیکي مشخصات:
•قطر:د 305 ملي میتر څخه ډیر
•مقاومت:د 10⁻²–10⁴ Ω-cm دننه د تنظیم وړ
•کثافت:3.2 g/cm³
•حرارتي چلښت:300 W/m·K
•د تودوخې توسعې کثافات:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
اصلاح او انعطاف:پهسیمیسیرا سیمی کنډکټر، موږ پوهیږو چې هر سیمیکمډکټر غوښتنلیک ممکن مختلف مشخصاتو ته اړتیا ولري. له همدې امله زموږ د CVD بلک SiC اجزا په بشپړ ډول د تنظیم وړ دي ، د تنظیم وړ مقاومت او تنظیم شوي ابعادو سره ستاسو د تجهیزاتو اړتیاو سره سم. که تاسو خپل د پلازما اینچنګ سیسټمونه اصلاح کوئ یا په RTP یا خپریدو پروسو کې د دوامدار اجزاو په لټه کې یاست ، زموږ د CVD بلک SiC بې ساري فعالیت وړاندې کوي.
