زموږ شرکت چمتو کويد SiC پوښد CVD میتود په واسطه د ګرافیت ، سیرامیکونو او نورو موادو په سطحه پروسس خدمتونه ، ترڅو ځانګړي ګازونه چې کاربن او سیلیکون لري په لوړه تودوخه کې عکس العمل ښیې ترڅو د لوړ پاک sic مالیکولونه ترلاسه کړي ، کوم چې د لیپت شوي موادو په سطحه زیرمه کیدی شي ترڅو یو جوړ شي.د SiC محافظتي پرتد epitaxy barrel ډول hy pnotic لپاره.
اصلي ځانګړتیاوې:
1 .د لوړ پاکوالي SiC لیپت شوي ګرافیت
2. د تودوخې لوړ مقاومت او حرارتي یونیفارمیت
3. ښهSiC کرسټال لیپت شوید نرم سطح لپاره
4. د کیمیاوي پاکولو په وړاندې لوړ پایښت
د اصلي مشخصاتCVD-SIC کوټ کول
| د SiC-CVD ملکیتونه | ||
| کرسټال جوړښت | د FCC β مرحله | |
| کثافت | g/cm ³ | 3.21 |
| سختۍ | د ویکرز سختۍ | ۲۵۰۰ |
| د غلو اندازه | μm | 2~10 |
| کیمیاوي پاکوالی | % | 99.99995 |
| د تودوخې ظرفیت | J·kg-1 ·K-1 | ۶۴۰ |
| Sublimation د حرارت درجه | ℃ | 2700 |
| د فیلیکسور ځواک | MPa (RT 4 ټکی) | ۴۱۵ |
| د ځوان ماډل | Gpa (4pt bend، 1300℃) | ۴۳۰ |
| د تودوخې پراختیا (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| حرارتي چالکتیا | (W/mK) | ۳۰۰ |
