-
په SiC واحد کرسټال وده کې د تخم کرسټال چمتو کولو پروسه
د سیلیکون کاربایډ (SiC) مواد د پراخه بینډګاپ ګټې لري، لوړ حرارتي چالکتیا، د لوړ مهم ماتولو ساحې ځواک، او د لوړ سنتر شوي الکترون ډریف سرعت، دا د سیمیکمډکټر تولید په ډګر کې خورا ژمن دی. د SiC واحد کرسټالونه عموما تولید کیږي ...نور ولولئ -
د ویفر پالش کولو طریقې کومې دي؟
د ټولو هغو پروسو څخه چې د چپ په جوړولو کې ښکیل دي، د ویفر وروستی برخلیک باید په انفرادي مړیو کې پرې شي او په کوچنیو، تړل شویو بکسونو کې بسته بندي شي چې یوازې یو څو پنونه ښکاره شوي. چپ به د هغې د حد، مقاومت، اوسني او ولتاژ ارزښتونو پر بنسټ ارزول کیږي، مګر هیڅوک به په پام کې ونه نیسي ...نور ولولئ -
د SiC Epitaxial ودې پروسې بنسټیز پیژندنه
د Epitaxial طبقه یو ځانګړی واحد کرسټال فلم دی چې د epitaxial پروسې په واسطه په ویفر باندې کرل کیږي، او د سبسټریټ ویفر او epitaxial فلم د epitaxial ویفر په نوم یادیږي. د سیلیکون کاربایډ اپیټاکسیل پرت په کنډکټیک سیلیکون کاربایډ سبسټریټ کې وده کولو سره ، سیلیکون کاربایډ همجنس ایپیټاکسیل ...نور ولولئ -
د سیمی کنډکټر بسته بندۍ پروسې کیفیت کنټرول کلیدي ټکي
د سیمی کنډکټر بسته بندۍ پروسې کې د کیفیت کنټرول لپاره کلیدي ټکي اوس مهال، د سیمیکمډکټر بسته بندۍ پروسې ټیکنالوژي د پام وړ وده کړې او غوره شوې. په هرصورت ، د عمومي لید څخه ، د سیمیکمډکټر بسته بندۍ پروسې او میتودونه لاهم خورا کامل ته ندي رسیدلي ...نور ولولئ -
د سیمیکمډکټر بسته بندۍ پروسې ننګونې
د سیمیکمډکټر بسته بندۍ اوسني تخنیکونه په تدریجي ډول وده کوي ، مګر تر هغه حده چې اتوماتیک تجهیزات او ټیکنالوژي د سیمیکمډکټر بسته بندۍ کې منل کیږي مستقیم د تمه شوي پایلو احساس ټاکي. د سیمیکمډکټر بسته بندۍ موجوده پروسې لاهم رنځ وړي ...نور ولولئ -
د سیمیکمډکټر بسته بندۍ پروسې څیړنه او تحلیل
د سیمیکمډکټر پروسې عمومي کتنه د سیمیکمډکټر پروسه په عمده ډول د مایکرو فابریکیشن او فلم ټیکنالوژیو پلي کول شامل دي ترڅو چپس او نور عناصر په بیلابیلو سیمو کې په بشپړ ډول وصل کړي ، لکه فرعي او چوکاټونه. دا د لیډ ټرمینالونو استخراج اسانه کوي او د یو سره انکیپسولیشن ...نور ولولئ -
د سیمیکمډکټر صنعت کې نوي رجحانات: د محافظتي کوټینګ ټیکنالوژۍ کارول
د سیمیکمډکټر صنعت د بې ساري ودې شاهد دی ، په ځانګړي توګه د سیلیکون کاربایډ (SiC) بریښنا برقیاتو ساحه کې. په بریښنایی وسایطو کې د SiC وسیلو لپاره د ډیریدونکي غوښتنې پوره کولو لپاره د ډیری لوی پیمانه ویفر فابونو د جوړولو یا پراختیا په حال کې ، دا ...نور ولولئ -
د SiC substrates د پروسس اصلي مرحلې کوم دي؟
موږ څنګه د SiC سبسټریټ لپاره د پروسس کولو مرحلې تولید کوو په لاندې ډول دي: 1. کریسټال اورینټیشن: د کریسټال انګوټ اورینټ کولو لپاره د ایکس رې انعطاف کارول. کله چې د ایکس رې بیم د مطلوب کرسټال مخ ته لارښوونه کیږي، د جلا شوي بیم زاویه د کرسټال سمت ټاکي ...نور ولولئ -
یو مهم مواد چې د واحد کرسټال سیلیکون ودې کیفیت ټاکي - حرارتي ساحه
د واحد کرسټال سیلیکون د ودې پروسه په بشپړ ډول په حرارتي ساحه کې ترسره کیږي. یو ښه حرارتي ساحه د کریسټال کیفیت ښه کولو لپاره مناسبه ده او د کریسټال کولو لوړ موثریت لري. د تودوخې ساحې ډیزاین په پراخه کچه بدلونونه او بدلونونه ټاکي ...نور ولولئ -
epitaxial وده څه ده؟
د Epitaxial نمو یوه ټیکنالوژي ده چې په یو واحد کرسټال سبسټریټ (سبسټریټ) کې د سبسټریټ په څیر ورته کرسټال سمت سره یو واحد کرسټال پرت وده کوي ، لکه څنګه چې اصلي کرسټال بهر ته غځول شوی وي. دا نوی کرل شوی واحد کرسټال طبقه د C په شرایطو کې د سبسټریټ څخه توپیر کیدی شي ...نور ولولئ -
د سبسټریټ او epitaxy ترمنځ توپیر څه دی؟
د ویفر د چمتو کولو په پروسه کې، دوه اصلي اړیکې شتون لري: یو د سبسټریټ چمتو کول دي، او بل یې د اپیټیکسیل پروسې پلي کول دي. سبسټریټ ، یو ویفر په احتیاط سره د سیمیکمډکټر واحد کرسټال موادو څخه جوړ شوی ، په مستقیم ډول د ویفر تولید کې کیښودل کیدی شي ...نور ولولئ -
د ګرافیت هیټرونو د څو اړخیزو ځانګړتیاو افشا کول
د ګرافیت هیټرونه د دوی د استثنایی ملکیتونو او استقامت له امله په بیلابیلو صنعتونو کې د لازمي وسیلو په توګه راپورته شوي. له لابراتوارونو څخه تر صنعتي ترتیباتو پورې، دا هیټرونه د موادو ترکیب څخه تر تحلیلي تخنیکونو پورې په پروسو کې مهم رول لوبوي. د بېلابېلو...نور ولولئ