-
د سیمیکمډکټر بسته بندۍ پروسې څیړنه او تحلیل
د سیمیکمډکټر پروسې عمومي کتنه د سیمیکمډکټر پروسه په عمده ډول د مایکرو فابریکیشن او فلم ټیکنالوژیو پلي کول شامل دي ترڅو چپس او نور عناصر په بیلابیلو سیمو کې په بشپړ ډول وصل کړي ، لکه فرعي او چوکاټونه. دا د لیډ ټرمینالونو استخراج اسانه کوي او د یو سره انکیپسولیشن ...نور ولولئ -
د سیمیکمډکټر صنعت کې نوي رجحانات: د محافظتي پوښښ ټیکنالوژۍ کارول
د سیمیکمډکټر صنعت د بې ساري ودې شاهد دی ، په ځانګړي توګه د سیلیکون کاربایډ (SiC) بریښنا برقیاتو ساحه کې. د ډیری لوی پیمانه ویفر فیبونو سره چې په بریښنایی وسایطو کې د SiC وسیلو ډیریدونکي غوښتنې پوره کولو لپاره د جوړولو یا پراختیا په حال کې دي ، دا ...نور ولولئ -
د SiC substrates د پروسس اصلي مرحلې کوم دي؟
موږ څنګه د SiC سبسټریټ لپاره د پروسس کولو مرحلې تولید کوو په لاندې ډول دي: 1. کریسټال اورینټیشن: د کریسټال انګوټ اورینټ کولو لپاره د ایکس رې انعطاف کارول. کله چې د ایکس رې بیم د مطلوب کرسټال مخ ته لارښوونه کیږي، د جلا شوي بیم زاویه د کرسټال سمت ټاکي ...نور ولولئ -
یو مهم مواد چې د واحد کرسټال سیلیکون ودې کیفیت ټاکي - حرارتي ساحه
د واحد کرسټال سیلیکون د ودې پروسه په بشپړ ډول په حرارتي ساحه کې ترسره کیږي. یو ښه حرارتي ساحه د کریسټال کیفیت ښه کولو لپاره مناسبه ده او د کریسټال کولو لوړ موثریت لري. د تودوخې ساحې ډیزاین په پراخه کچه بدلونونه او بدلونونه ټاکي ...نور ولولئ -
epitaxial وده څه ده؟
د Epitaxial نمو یوه ټیکنالوژي ده چې په یو واحد کرسټال سبسټریټ (سبسټریټ) کې د سبسټریټ په څیر ورته کرسټال سمت سره یو واحد کرسټال پرت وده کوي ، لکه څنګه چې اصلي کرسټال بهر ته غځول شوی وي. دا نوی کرل شوی واحد کرسټال طبقه د C په شرایطو کې د سبسټریټ څخه توپیر کیدی شي ...نور ولولئ -
د سبسټریټ او epitaxy ترمنځ توپیر څه دی؟
د ویفر د چمتو کولو په پروسه کې، دوه اصلي اړیکې شتون لري: یو د سبسټریټ چمتو کول دي، او بل یې د اپیټیکسیل پروسې پلي کول دي. سبسټریټ ، یو ویفر په احتیاط سره د سیمیکمډکټر واحد کرسټال موادو څخه جوړ شوی ، په مستقیم ډول د ویفر تولید کې کیښودل کیدی شي ...نور ولولئ -
د ګرافیت هیټرونو د څو اړخیزو ځانګړتیاو افشا کول
د ګرافیت هیټرونه د دوی د استثنایی ملکیتونو او استقامت له امله په بیلابیلو صنعتونو کې د لازمي وسیلو په توګه راپورته شوي. له لابراتوارونو څخه تر صنعتي ترتیباتو پورې، دا هیټرونه د موادو ترکیب څخه تر تحلیلي تخنیکونو پورې په پروسو کې مهم رول لوبوي. د بېلابېلو...نور ولولئ -
د وچو نقاشۍ او لوند نقاشۍ د ګټو او زیانونو مفصل وضاحت
د سیمی کنډکټر په تولید کې، یو تخنیک شتون لري چې د سبسټریټ پروسس کولو پرمهال د "ایچنګ" په نوم یادیږي یا په سبسټریټ کې جوړ شوي پتلی فلم. د ایچینګ ټیکنالوژۍ پراختیا په 1965 کې د انټل بنسټ ایښودونکي ګورډن مور لخوا د وړاندوینې په حقیقت کې رول لوبولی چې "...نور ولولئ -
د سیلیکون کاربایډ هیټرونو لوړ حرارتي موثریت او ستوري ثبات افشا کول
د سیلیکون کاربایډ (SiC) هیټرونه د سیمیکمډکټر صنعت کې د حرارتي مدیریت په سر کې دي. دا مقاله د SiC هیټرونو استثنایی تودوخې موثریت او د پام وړ ثبات لټوي ، په سیمیکو کې د غوره فعالیت او اعتبار تضمین کولو کې د دوی مهم رول باندې رڼا اچوي ...نور ولولئ -
د سیلیکون کاربایډ ویفر کښتیو د لوړ ځواک او لوړې سختۍ ځانګړتیاو سپړنه
د سیلیکون کاربایډ (SiC) ویفر کښتۍ د سیمیکمډکټر صنعت کې مهم رول لوبوي ، د لوړ کیفیت بریښنایی وسیلو تولید اسانه کوي. دا مقاله د SiC ویفر کښتیو د پام وړ ځانګړتیاو ته اشاره کوي ، د دوی په استثنایی ځواک او سختۍ تمرکز کوي ، او د دوی نښې په ګوته کوي ...نور ولولئ -
په کرسټال وده کې د سیلیکون کاربایډ ویفر بوټانو عالي فعالیت
د کریسټال ودې پروسې د سیمیکمډکټر جوړونې په زړه کې موقعیت لري ، چیرې چې د لوړ کیفیت ویفرونو تولید خورا مهم دی. په دې پروسو کې یوه لازمي برخه د سیلیکون کاربایډ (SiC) ویفر کښتۍ ده. د SiC ویفر کښتیو په صنعت کې د پام وړ پیژندنه ترلاسه کړې د دوی پرته ...نور ولولئ -
په واحد کرسټال فرنس حرارتي ساحو کې د ګرافیت هیټرونو د پام وړ حرارتي چلښت
د واحد کرسټال فرنس ټیکنالوژۍ په ډګر کې، د حرارتي مدیریت موثریت او دقیقیت خورا مهم دی. د غوره تودوخې یووالی او ثبات ترلاسه کول د لوړ کیفیت واحد کرسټالونو وده کې خورا مهم دي. د دې ننګونو د حل لپاره، د ګرافیت هیټرونه د پام وړ په توګه راڅرګند شوي ...نور ولولئ