-
تانتالوم کاربایډ څه شی دی؟
تانتالم کاربایډ (TaC) د کیمیاوي فورمول TaC x سره د ټینټالم او کاربن یو باائنری مرکب دی، چیرته چې x معمولا د 0.4 او 1 ترمنځ توپیر لري. دوی خورا سخت، مات شوي، انعکاس لرونکي سیرامیک مواد دي چې فلزي چلونکي لري. دوی نسواري - خړ پوډر دي او موږ یو ...نور ولولئ -
tantalum کاربایډ څه شی دی
ټینټالم کاربایډ (TaC) د لوړې تودوخې سیرامیک مواد دی چې د تودوخې لوړ مقاومت ، لوړ کثافت ، لوړ جوړښت سره؛ لوړ پاکوالی، د ناپاکۍ منځپانګه <5PPM؛ او په لوړه تودوخه کې امونیا او هایدروجن ته کیمیاوي بې ثباتي، او ښه حرارتي ثبات. تش په نامه خورا لوړ ...نور ولولئ -
epitaxy څه شی دی؟
ډیری انجینران د epitaxy سره نا اشنا دي، کوم چې د سیمیکمډکټر وسیلو په جوړولو کې مهم رول لوبوي. Epitaxy په مختلفو چپ محصولاتو کې کارول کیدی شي، او مختلف محصولات د اپیټیکسي مختلف ډولونه لري، په شمول Si epitaxy، SiC epitaxy، GaN epitaxy، او داسې نور. epitaxy څه شی دی؟ Epitaxy دی ...نور ولولئ -
د SiC مهم پیرامیټونه کوم دي؟
سیلیکون کاربایډ (SiC) یو مهم پراخه بانډګاپ سیمیکمډکټر مواد دی چې په پراخه کچه د لوړ بریښنا او لوړې فریکونسۍ بریښنایی وسیلو کې کارول کیږي. لاندې د سیلیکون کاربایډ ویفرونو ځینې کلیدي پیرامیټونه او د دوی مفصل توضیحات دي: د جال پیرامیټرونه: ډاډ ترلاسه کړئ چې ...نور ولولئ -
ولې واحد کرسټال سیلیکون رول ته اړتیا لري؟
رولینګ د سیلیکون واحد کرسټال راډ بیروني قطر پیس کولو پروسې ته اشاره کوي چې د اړتیا وړ قطر واحد کرسټال راډ ته د الماس پیس کولو څرخ په کارولو سره ، او د یو واحد کرسټال راډ د فلیټ څنډې ریفرنس سطح یا موقعیتي نالی پیس کول. د بهرنی قطر سطحه ...نور ولولئ -
د لوړ کیفیت SiC پوډر تولید لپاره پروسې
سیلیکون کاربایډ (SiC) یو غیر عضوي مرکب دی چې د دې استثنایی ملکیتونو لپاره پیژندل شوی. په طبیعي ډول واقع کیږي SiC، چې د مویسانیت په نوم پیژندل کیږي، خورا لږ دی. په صنعتي غوښتنلیکونو کې، سیلیکون کاربایډ په عمده توګه د مصنوعي میتودونو له لارې تولید کیږي.نور ولولئ -
د کرسټال ایستلو پرمهال د ریډیل مقاومت یونیفارمیت کنټرول
اصلي لاملونه چې د واحد کرسټالونو د ریډیل مقاومت په یووالي اغیزه کوي د جامد مایع انٹرفیس فلیټي او د کریسټال ودې په جریان کې د کوچني الوتکې اغیز د کرسټال وده په جریان کې د جامد مایع انٹرفیس د فلیټ کیدو اغیزه ده ، که چیرې خټکی په مساوي ډول ودرول شي. د...نور ولولئ -
ولې مقناطیسي ساحه واحد کرسټال فرنس کولی شي د واحد کرسټال کیفیت ښه کړي
څرنګه چې کروسیبل د کانټینر په توګه کارول کیږي او دننه کنفیکشن شتون لري، لکه څنګه چې د تولید شوي واحد کرسټال اندازه زیاتیږي، د تودوخې کنفیکشن او د تودوخې تدریجي یونیفارم کنټرول خورا ستونزمن کیږي. د مقناطیسي ساحې په اضافه کولو سره د لورینټز ځواک باندې د کنډکیټ خټکي عمل رامینځته کولو سره ، کنفیکشن کیدی شي ...نور ولولئ -
د SIC واحد کرسټالونو چټکه وده د CVD-SiC بلک سرچینې په کارولو سره د sublimation میتود په واسطه
د SiC واحد کرسټال چټکه وده د CVD-SiC بلک سرچینې په کارولو سره د Sublimation میتود له لارې د بیا کارونې CVD-SiC بلاکونو په کارولو سره د SiC سرچینې په توګه، SiC کرسټال په بریالیتوب سره د PVT میتود له لارې د 1.46 mm/h په نرخ کې کرل شوي. د کرسټال وده شوي مایکرو پایپ او د بې ځایه کیدو کثافت دا په ګوته کوي چې د ...نور ولولئ -
د سیلیکون کاربایډ ایپیټیکسیل ودې تجهیزاتو اصلاح شوي او ژباړل شوي مینځپانګې
د سیلیکون کاربایډ (SiC) سبسټریټونه ډیری نیمګړتیاوې لري چې د مستقیم پروسس مخه نیسي. د چپ ویفرونو رامینځته کولو لپاره ، یو ځانګړی واحد کرسټال فلم باید د epitaxial پروسې له لارې په SiC سبسټریټ کې وده وکړي. دا فلم د epitaxial پرت په نوم پیژندل کیږي. نږدې ټول SiC وسیلې په epitaxial کې احساس شوي ...نور ولولئ -
د سیمیکمډکټر په تولید کې د SiC-Coated Graphite Susceptors مهم رول او غوښتنلیک قضیې
سیمیسیرا سیمیکمډکټر پلان لري چې په نړیواله کچه د سیمی کنډکټر تولید تجهیزاتو لپاره د اصلي برخو تولید زیات کړي. تر 2027 پورې، موږ په پام کې لرو چې د 70 ملیون ډالرو په مجموعي پانګونې سره د 20,000 مربع متره نوې فابریکه جوړه کړو. زموږ یو له اصلي برخو څخه ، د سیلیکون کاربایډ (SiC) ویفر کار ...نور ولولئ -
ولې موږ اړتیا لرو چې د سیلیکون ویفر سبسټریټونو کې ایپیټیکسي ترسره کړو؟
د سیمیکمډکټر صنعت سلسله کې ، په ځانګړي توګه د دریم نسل سیمیکمډکټر (پراخ بانډګاپ سیمیکمډکټر) صنعت سلسله کې ، سبسټریټونه او اپیټیکسیل پرتونه شتون لري. د epitaxial پرت اهمیت څه دی؟ د سبسټریټ او سبسټریټ ترمینځ څه توپیر دی؟ سبسټر...نور ولولئ