له هغه وختهصلیب وړد کانټینر په توګه کارول کیږي او دننه کنفیکشن شتون لري ، ځکه چې د تولید شوي واحد کرسټال اندازه لوړیږي ، د تودوخې کنفیکشن او د تودوخې تدریجي یونیفارم کنټرول خورا ستونزمن کیږي. په لورینټز ځواک باندې د کنډکټیو خټکي عمل کولو لپاره د مقناطیسي ساحې په اضافه کولو سره ، حرکت کولی شي ورو یا حتی له مینځه ویسي ترڅو د لوړ کیفیت واحد کرسټال سیلیکون تولید کړي.
د مقناطیسي ساحې ډول سره سم، دا په افقی مقناطیسي ساحه، عمودی مقناطیسي ساحه او CUSP مقناطیسي ساحه ویشل کیدی شي:
عمودی مقناطیسي ساحه نشي کولی د جوړښتي دلایلو له امله اصلي حرکت له مینځه یوسي او په ندرت سره کارول کیږي.
د افقي مقناطیسي ساحې د مقناطیسي ساحې برخې سمت د اصلي تودوخې کنفیکشن او د کروسیبل دیوال جزوی جبري کنفیکشن ته عمودی دی ، کوم چې کولی شي په مؤثره توګه حرکت منع کړي ، د ودې انٹرفیس فلیټ وساتي ، او د ودې پټې کمې کړي.
د CUSP مقناطیسي ساحه د دې همغږي له امله د خټکي ډیر یونیفورم جریان او د تودوخې لیږد لري، نو د عمودی او CUSP مقناطیسي ساحو څیړنه په ګډه سره روانه ده.
په چین کې د ژیان د ټیکنالوژۍ پوهنتون دمخه د مقناطیسي ساحو په کارولو سره د سیلیکون واحد کرسټالونو تولید او کرسټال ایستلو تجربې درک کړې. د دې اصلي محصولات 6-8in مشهور ډولونه دي ، کوم چې د سولر فوتوولټیک حجرو لپاره د سیلیکون ویفر بازار په هدف دي. په بهرنیو هیوادونو کې، لکه په متحده ایالاتو کې KAYEX او په آلمان کې CGS، د دوی اصلي محصولات 8-16in دي، کوم چې د الټرا لوی پیمانه مدغم سرکیټونو او سیمی کنډکټرونو په کچه د واحد کرسټال سیلیکون راډونو لپاره مناسب دي. دوی د لوی قطر لوړ کیفیت واحد کرسټالونو د ودې لپاره د مقناطیسي ساحو په برخه کې انحصار لري او ترټولو نمایندګي دي.
د واحد کرسټال ودې سیسټم په کروسیبل ساحه کې د مقناطیسي ساحې توزیع د مقناطیس خورا مهم برخه ده ، پشمول د کریسبل په څنډه کې د مقناطیسي ساحې ځواک او یوشانوالی ، د کریسبل مرکز ، او مناسب د مایع سطح لاندې فاصله. په ټولیزه توګه افقي او یونیفورم ټرانسورس مقناطیسي ساحه، د ځواک مقناطیسي کرښې د کرسټال ودې محور ته عمودي دي. د مقناطیسي اغیزې او د امپیر قانون له مخې، کویل د کراسبل څنډې ته تر ټولو نږدې دی او د ساحې ځواک ترټولو لوی دی. لکه څنګه چې واټن زیاتیږي، د هوا مقناطیسي مقاومت زیاتیږي، د ساحې ځواک په تدریجي ډول کمیږي، او دا په مرکز کې ترټولو کوچنی دی.
د سپر کنډکټینګ مقناطیسي ساحې رول
د حرارتي حرکت مخنیوی: د بهرنۍ مقناطیسي ساحې په نشتوالي کې، پړسیدلی سیلیکون به د تودوخې په وخت کې طبیعي کنفیکشن تولید کړي، کوم چې کیدای شي د ناپاکۍ غیر مساوي ویش او د کرسټال نیمګړتیاو رامینځته کړي. بهرنۍ مقناطیسي ساحه کولی شي دا کنکشن فشار کړي، د خټکي دننه د تودوخې ویش ډیر یونیفورم کوي او د ناپاکۍ غیر مساوي ویش کموي.
د کرسټال د ودې کچه کنټرولول: مقناطیسي ساحه کولی شي د کرسټال وده کچه او سمت اغیزه وکړي. د مقناطیسي ساحې ځواک او توزیع دقیق کنټرول کولو سره ، د کرسټال وده پروسه مطلوب کیدی شي او د کرسټال بشپړتیا او یووالي ښه کیدی شي. د واحد کرسټال سیلیکون د ودې په جریان کې، اکسیجن په عمده توګه د خټکي او کریسبل د نسبي حرکت له لارې د سیلیکون خټکي ته ننوځي. مقناطیسي ساحه د سیلیکون خټکي سره د اکسیجن د تماس چانس کموي د خټکي حرکت کمولو سره ، په دې توګه د اکسیجن تحلیل کموي. په ځینو حاالتو کې، بهرنی مقناطیسي ساحه کولی شي د خټکي ترموډینامیک شرایط بدل کړي، لکه د خټکي د سطحې فشار بدلولو سره، کوم چې ممکن د اکسیجن بې ثباته کولو کې مرسته وکړي، په دې توګه په خټکي کې د اکسیجن محتوا کموي.
د اکسیجن او نورو ناپاکیو تحلیل کم کړئ: اکسیجن د سیلیکون کرسټالونو په وده کې یو له عام ناپاکۍ څخه دی چې د کرسټال کیفیت خرابوي. مقناطیسي ساحه کولی شي په خټکي کې د اکسیجن مینځپانګه کمه کړي ، پدې توګه په کرسټال کې د اکسیجن تحلیل کموي او د کرسټال پاکوالي ته وده ورکوي.
د کرسټال داخلي جوړښت ته وده ورکول: مقناطیسي ساحه کولی شي د کرسټال دننه نیمګړتیا جوړښت اغیزه وکړي، لکه بې ځایه کیدل او د غلو حدود. د دې نیمګړتیاوو شمیر کمولو او د دوی په ویش اغیزه کولو سره، د کرسټال ټول کیفیت ښه کیدی شي.
د کرسټالونو بریښنایی ملکیتونو ته وده ورکول: څرنګه چې مقناطیسي ساحې د کرسټال ودې په جریان کې په مایکرو جوړښت باندې د پام وړ اغیزه لري ، دوی کولی شي د کرسټال بریښنایی ملکیتونو ته وده ورکړي ، لکه مقاومت او د کیریر ژوند موده ، کوم چې د لوړ فعالیت سیمیک کنډکټر وسیلو جوړولو لپاره خورا مهم دي.
د نړۍ له ګوټ ګوټ څخه هر پیرودونکي ته ښه راغلاست ویلو لپاره موږ ته د نورو خبرو اترو لپاره لیدنه وکړئ!
https://www.semi-cera.com/
https://www.semi-cera.com/tac-coating-monocrystal-growth-parts/
https://www.semi-cera.com/cvd-coating/
د پوسټ وخت: جولای 24-2024