ګټې
د لوړ حرارت اکسیډریشن مقاومت
د ښه سنکنرن مقاومت
د خړوبولو ښه مقاومت
د تودوخې چلونکي لوړ کفیت
ځان غوړول، ټیټ کثافت
لوړ سختی
دودیز ډیزاین.
غوښتنلیکونه
- د اغوستلو په وړاندې مقاومت لرونکی ساحه: بوشنګ، پلیټ، د شګو بلاسټینګ نوزل، د سایکلون استر، د پیسولو بیرل، او داسې نور ...
- د لوړې تودوخې ساحه: siC سلیب، د کونج ټیوب، ریډینټ ټیوب، کروسیبل، د تودوخې عنصر، رولر، بیم، د تودوخې تبادله کونکی، د سړې هوا پایپ، د برنر نوزل، د ترموکوپل محافظت ټیوب، SiC کښتۍ، د بټو موټر جوړښت، سیټر،
- د سیلیکون کاربایډ سیمیکمډکټر: د سی سی ویفر کشتۍ ، سیک چک ، سیک پیډل ، sic کیسیټ ، sic ډیفیوژن ټیوب ، ویفر فورک ، سکشن پلیټ ، لارښود لاره او داسې نور.
- د سیلیکون کاربایډ سیل فیلډ: د سیل کولو حلقه ، بیرینګ ، بوشنګ ، او داسې نور.
- د فوټوولټیک ساحه: کینټیلیور پیډل، د پیسولو بیرل، سیلیکون کاربایډ رولر، او داسې نور.
- د لیتیم بیټرۍ ساحه
د SiC فزیکي ملکیتونه
| ملکیت | ارزښت | طریقه |
| کثافت | 3.21 g/cc | د سینک فلوټ او ابعاد |
| ځانګړې تودوخه | 0.66 J/g °K | نبض شوی لیزر فلش |
| انعطاف ځواک | 450 MPa560 MPa | 4 نقطه موڑ، RT4 نقطه موړ، 1300 ° |
| د فریکچر سختۍ | 2.94 MPa m1/2 | Microindentation |
| سختۍ | ۲۸۰۰ | ویکر، 500 ګرامه بار |
| د لوچک موډلس د ځوان موډول | 450 GPa430 GPa | 4 pt کنډک، RT4 pt بینډ، 1300 °C |
| د غلو اندازه | 2 – 10 µm | SEM |
د SiC حرارتي ملکیتونه
| د تودوخې چلښت | 250 W/m °K | د لیزر فلش طریقه، RT |
| د تودوخې پراختیا (CTE) | 4.5 x 10-6 °K | د کوټې تودوخه تر 950 °C پورې، د سیلیکا ډیلاټومیټر |
تخنیکي پارامترونه
| توکي | واحد | ډاټا | ||||
| RBSiC(SiSiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| د SiC منځپانګه | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| وړیا سیلیکون مواد | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| اعظمي خدمت حرارت | ℃ | ۱۳۸۰ ل | ۱۴۵۰ | 1650 | ۱۶۲۰ | ۱۴۰۰ |
| کثافت | g/cm3 | 3.02 | 2.75-2.85 | 3.08-3.16 | 2.65-2.75 | 2.75-2.85 |
| خلاص porosity | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| د بډنګ قوت 20℃ | ماپا | ۲۵۰ | ۱۶۰ | ۳۸۰ | 100 | / |
| 1200 ℃ د خښتو قوت | ماپا | ۲۸۰ | ۱۸۰ | ۴۰۰ | ۱۲۰ | / |
| د انعطاف موډل 20℃ | Gpa | ۳۳۰ | ۵۸۰ | ۴۲۰ | ۲۴۰ | / |
| د انعطاف موډول 1200℃ | Gpa | ۳۰۰ | / | / | ۲۰۰ | / |
| حرارتي چالکتیا 1200℃ | W/mK | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| د حرارتي توسعې کثافات | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | ۴.۶۹ | / |
| HV | kg/mm2 | 2115 | / | ۲۸۰۰ | / | / |
د بیا تنظیم شوي سیلیکون کاربایډ سیرامیک محصولاتو بهرنۍ سطحه د CVD سیلیکون کاربایډ کوټینګ کولی شي د سیمیکمډکټر صنعت کې د پیرودونکو اړتیاو پوره کولو لپاره له 99.9999٪ څخه ډیر پاکوالي ته ورسیږي.
