ټانتلوم کاربایډ (TaC) لیپت شوی ویفر سوسیپټر

لنډ تفصیل:

د ټینټالم کاربایډ کوټینګ د سطحې پوښښ یو پرمختللی ټیکنالوژي ده چې د ټینټالم کاربایډ مواد کاروي ترڅو د سبسټریټ په سطحه د سخت ، اغوستلو مقاومت لرونکي او د زنګ په وړاندې مقاومت لرونکي محافظتي پرت رامینځته کړي. دا کوټ غوره ځانګړتیاوې لري چې د پام وړ د موادو سختۍ، د تودوخې لوړ مقاومت او کیمیاوي مقاومت لوړوي، پداسې حال کې چې د رګونو او پوښاک کمولو کې مرسته کوي. د ټنټلم کاربایډ کوټینګونه په پراخه کچه په بیلابیلو برخو کې کارول کیږي ، پشمول صنعتي تولید ، فضا ، د موټرو انجینرۍ او طبي تجهیزات ، د مادي ژوند اوږدولو ، د تولید موثریت ښه کولو او د ساتنې لګښتونه کمولو لپاره. که چیرې د فلزي سطحې د زنګ وهلو څخه ساتنه وکړي یا د میخانیکي برخو د پوښاک مقاومت او اکسیډریشن مقاومت ته وده ورکړي ، د ټنټلم کاربایډ کوټینګونه د مختلف غوښتنلیکونو لپاره د باور وړ حل چمتو کوي.


د محصول تفصیل

د محصول ټګ

سیمیسیرا د مختلف اجزاو او کیریرونو لپاره ځانګړي ټنټلم کاربایډ (TaC) کوټینګونه چمتو کوي.د سیمیسیرا مخکښ کوټینګ پروسه د ټنټلم کاربایډ (TaC) کوټینګونو ته وړتیا ورکوي ترڅو لوړ پاکوالي ، د تودوخې لوړ ثبات او لوړ کیمیاوي زغم ترلاسه کړي ، د SIC/GAN کرسټالونو او EPI پرتونو د محصول کیفیت ښه کوي (د ګرافیت لیپت شوي TaC سوسیپټر)، او د کلیدي ریکټور اجزاو ژوند اوږدول. د ټینټالم کاربایډ ټیک کوټینګ کارول د څنډې ستونزې حل کول او د کرسټال ودې کیفیت ښه کول دي ، او سیمیسیرا سیمیسیرا د ټینټالم کاربایډ کوټینګ ټیکنالوژۍ (CVD) په بریالیتوب سره حل کړی ، نړیوالې پرمختللي کچې ته رسیدلي.

 

د کلونو پرمختګ وروسته، سیمیسیرا د ټیکنالوژۍ فتح کړېCVD TaCد R&D څانګې په ګډو هڅو سره. د SiC wafers د ودې په پروسه کې نیمګړتیاوې اسانه دي، مګر د کارولو وروستهTaCتوپیر د پام وړ دی. لاندې د TaC سره او پرته د ویفرونو پرتله کول دي ، په بیله بیا د واحد کرسټال ودې لپاره د سمیسیرا برخې

微信图片_20240227150045

د TaC سره او پرته

微信图片_20240227150053

د TaC کارولو وروسته (ښي)

سربیره پردې ، د سیمیسیرا د TaC کوټینګ محصولاتو خدمت ژوند اوږد دی او د SiC کوټینګ په پرتله د لوړې تودوخې په وړاندې مقاومت لري. د لابراتوار اندازه کولو ډیټا د اوږدې مودې وروسته ، زموږ TaC کولی شي د 2300 درجې سیلسیس کې د اوږدې مودې لپاره کار وکړي. لاندې زموږ ځینې نمونې دي:

微信截图_20240227145010

(a) د PVT میتود په واسطه د SIC واحد کریسټال انګوټ وده کونکي وسیلې سکیمیټ ډیاګرام (b) د لوړ TaC لیپت شوي تخم بریکٹ (د SiC تخم په شمول) (c) د TAC-کوټ شوی ګرافیت لارښود حلقه

ZDFVzCFV
اصلي ځانګړتیا
د نیم کار ځای
د نیم کار ځای 2
د تجهیزاتو ماشین
د CNN پروسس، کیمیاوي پاکول، د CVD کوټینګ
زموږ خدمت

  • مخکینی:
  • بل: