Epitaxy Wafer Carrier د سیمیکمډکټر په تولید کې یوه مهمه برخه ده، په ځانګړې توګهSi EpitaxyاوSiC Epitaxyپروسې سیمیسیرا په احتیاط سره ډیزاین او تولیدويویفرکیریرونه د خورا لوړې تودوخې او کیمیاوي چاپیریال سره مقاومت کوي ، په غوښتنلیکونو کې غوره فعالیت تضمینوي لکهد MOCVD شکمناو بیرل سوسیپټر. که دا د مونوکریسټالین سیلیکون زیرمه وي یا د پیچلي ایپیټیکسي پروسې ، د سیمیسیرا ایپیټاکسي وافر کیریر عالي یونیفارم او ثبات چمتو کوي.
سیمیسراEpitaxy Wafer Carrierد غوره میخانیکي ځواک او تودوخې چلونکي سره پرمختللي موادو څخه جوړ شوی ، کوم چې کولی شي په مؤثره توګه د پروسې په جریان کې زیانونه او بې ثباتۍ کم کړي. سربیره پردې، د ډیزاینویفرکیریر کولی شي د مختلف اندازو epitaxy تجهیزاتو سره تطابق وکړي، په دې توګه د ټول تولید موثریت ښه کوي.
د پیرودونکو لپاره چې د لوړ دقیقیت او لوړ پاکوالي ایپیټیکسي پروسو ته اړتیا لري ، د سیمیسیرا ایپیټاکسي وافر کیریر د باور وړ انتخاب دی. موږ تل ژمن یو چې پیرودونکو ته د غوره محصول کیفیت او د باور وړ تخنیکي ملاتړ چمتو کړو ترڅو د تولید پروسې اعتبار او موثریت ته وده ورکړي.
✓ د چین په بازار کې لوړ کیفیت
✓ ښه خدمت تل ستاسو لپاره، 7*24 ساعته
✓ د سپارلو لنډه نیټه
✓ کوچنی MOQ ښه راغلاست او منل شوی
✓ دودیز خدمتونه
د Epitaxy د ودې شکمن
سیلیکون / سیلیکون کاربایډ ویفرونه باید په بریښنایی وسیلو کې د کارولو لپاره ډیری پروسو ته لاړ شي. یوه مهمه پروسه سیلیکون/sic epitaxy ده، په کوم کې چې سیلیکون/sic ویفرونه د ګرافیت په اساس کې لیږدول کیږي. د سیمیسیرا د سیلیکون کاربایډ لیپت شوي ګرافائٹ بیس ځانګړي ګټې په خورا لوړ پاکوالي ، یونیفورم کوټینګ ، او خورا اوږد خدمت ژوند شامل دي. دوی لوړ کیمیاوي مقاومت او حرارتي ثبات هم لري.
د LED چپ تولید
د MOCVD ریکټور د پراخه پوښ کولو په جریان کې، د سیارې اساس یا کیریر د سبسټریټ ویفر حرکت کوي. د اساس موادو فعالیت د کوټینګ کیفیت باندې خورا لوی تاثیر لري ، کوم چې په پایله کې د چپ سکریپ نرخ اغیزه کوي. د سیمیسیرا سیلیکون کاربایډ لیپت بیس د لوړ کیفیت LED ویفرونو تولید موثریت ډیروي او د طول موج انحراف کموي. موږ د ټولو MOCVD ریکټورونو لپاره چې اوس مهال کارول کیږي اضافي ګرافیت اجزا هم چمتو کوو. موږ کولی شو نږدې هره برخه د سیلیکون کاربایډ کوټ سره کوټ کړو، حتی که د برخې قطر تر 1.5M پورې وي، موږ بیا هم د سیلیکون کاربایډ سره کوټ کولی شو.
د سیمیکمډکټر ساحه، د اکسیډیشن خپریدو پروسه، او داسې نور.
د سیمیکمډکټر پروسې کې ، د اکسیډیشن توسعې پروسې لوړ محصول پاکوالي ته اړتیا لري ، او په سیمیسرا کې موږ د سیلیکون کاربایډ ډیری برخو لپاره دودیز او CVD کوټینګ خدمات وړاندیز کوو.
لاندې انځور د سیمیسیا خام پروسس شوی سیلیکون کاربایډ سلیري او د سیلیکون کاربایډ فرنس ټیوب ښیې چې په 100 کې پاک شوی0- کچهله دوړو څخه پاککوټه زموږ کارګران د کوټ کولو دمخه کار کوي. زموږ د سیلیکون کاربایډ پاکوالی کولی شي 99.98٪ ته ورسیږي، او د sic کوټینګ پاکوالی له 99.9995٪ څخه ډیر دی.
خام سیلیکون کاربایډ پیډل او د سی سی پروسس ټیوب په پاکولو کې
د سیلیکون کاربایډ ویفر بوټ CVD SiC لیپت شوی
